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研究人员对3868.com性能下降进行了深入了解

来源:3868.com作者:澳门新葡亰最新地址发表时间:2019-11-20

    名古屋工业大学(NITech)的研究人员与日本的大学合作,收集了新的见解,探讨了导致电子设备中使用的3868.com材料降解的机理。

    通过强调材料如何降解的具体科学,他们为可能阻止材料性能下降的前瞻性发现铺平了道路。

    这项研究发表在2018年9月的《应用物理杂志》上。研究人员使用了碳化硅(SiC)材料进行实验。SiC作为电子设备的标准3868.com材料的替代品正日益普及。该研究基于一种特殊类型的SiC材料,即4H-SiC,该材料具有独特的结构。将该材料暴露于光致发光以及不同的温度下,以产生导致3868.com性能下降的特定类型的变形。研究人员能够看到这些变形是如何在原子级上真正发生的。

 

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    为了正确理解导致变形的原子变形背后的实际机制,科学家使用光致发光来促使电荷粒子运动并测量其发生的速度。他们研究了可能限制颗粒运动的特定因素以及所使用的材料。

    他们还分析了温度升高的影响,特别是试图观察高温是否会降低或增加变形速率。

    据加藤博士说,导致材料降解的特定种类的原子变形的存在对于基于SiC的功率器件而言主要存在问题。“ 当一种特定的基于3868.com在运行时,材料的原子会变形,从而导致降解。这些原子变形的过程尚不清楚。然而,已知的是,电荷在原子内部的移动“材料以及材料变成缺陷的区域已经导致了上述原子变形。 ”

    到目前为止,其他科学家过去也进行过类似的实验。所显示的结果不一致。在这里,光致发光实验的结果表明,与4H-SiC中没有1SSF的区域相比,单个Shockley堆垛层错(1SSF)和部分位错(PD)的载流子重组更快。这样的快速重组将触发具有1SSF的设备的降级。此外,1SSF膨胀速度也随温度升高而增加。

    因此,它们有助于围绕3868.com退化的减速进行研究。反过来,这可能会导致更高的质量和更坚固的设备。

    研究人员指出,他们未来的研究工作将集中于发现防止3868.com性能下降的方法以及开发不会随着时间推移而减弱的器件。

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